貼片電容,是由印好電極(內電極)的瓷器介質膜片以移位的方式疊合而成,經過一次性高溫燒結產生瓷器芯片,再去芯片的兩邊封上金屬層(外電極),最終形成一個類似獨石的結構體,故又稱為獨石電容器。貼片電容有兩種尺寸表示方法，一種是以英尺為基準來表示，一種是以mm為基準來表示，貼片電容的系列型號有0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812、2010、2225、2512，這些是英寸表示法，04表示長度是0.04英尺，02表示總寬0.02英尺，其他類同型號尺寸（mm）

英制尺寸公制尺寸長度及公差總寬及公差薄厚及公差

0402 1005 1.00±0.05 0.50±0.050.50±0.05

060316081.60±0.100.80±0.100.80±0.10

080520122.00±0.201.25±0.200.70±0.201.00±0.201.25±0.20

120632163.00±0.301.60±0.200.70±0.201.00±0.201.25±0.20

121032253.00±0.302.54±0.301.25±0.301.50±0.30

180845204.50±0.402.00±0.20≤2.00

181245324.50±0.403.20±0.30≤2.50

222057505.70±0.405.00±0.30≤2.50

222557635.70±0.506.30±0.50≤2.50

303576907.60±0.509.00±0.05≤3.00

貼片電容的顏色，常規(guī)見得多的就是比紙板箱淺一點的黃，和青灰色，這在具體的生產過程中會有產生不同差別。

貼片電容的命名所包含的參數(shù)有貼片電容的尺寸、做這種貼片電容用的材質、要求達到的精度、要求的電壓、要求的容量、端頭的需求以及包裝的要求。一般購買貼片電容需提供的參數(shù)需有尺寸的大小、要求的精度、電壓的需求、容量值、以及要求的品牌即可。

貼片電容的命名：

0805CG102J500NT0805：是指該貼片電容的尺寸大小，是用英尺來表示的08表示長度是0.08英尺、05表示寬度為0.05英尺CG：是表示做這種電容要求用的材質，這個材料一般適用于做低于10000PF以內的電容，102：是指電容容量，前邊兩位是有效數(shù)字、后邊的2表示有多少個零102=10×100也就是=1000PFJ：是要求電容的容量值達到的偏差精度為5%，介質材料和偏差精度是匹配的500：是要求電容承受的抗壓為50V同樣500前邊兩位是有效數(shù)字，后面是指有多少個零。N：是指端頭材料，一般的端頭都是指三層電極（銀/銅層）、鎳、錫T：是指包裝方式，T表示編帶包裝，貼片電容的顏色，常規(guī)見得多的就是比紙板箱淺一點的黃，和青灰色，這在具體的生產過程中會有產生不同差別貼片電容上邊沒有印字，這是和他的制作工藝相關（貼片電容是經過高溫燒結面成，因此沒辦法在它的表層印字），而貼片電阻是絲印而成（能夠印刷標記）。

貼片電容額定電壓從4V到4KV（DC），有中髙壓貼片電容與普通貼片電容，當額定電壓在100V或以上時，即歸納為中髙壓商品。[3]系列電壓有6.3V、10V、16V、25V、50V、100V、200V、500V、1000V、2000V、3000V、4000V貼片電容的尺寸表示法有兩種，一種是英尺為基準來表示，一種是以mm為基準來表示，貼片電容系列型號有0201、0402、0603、0805、1206、1210、1812、2010、2225等。貼片電容的材料常規(guī)分為三種，NP0,X7R,Y5VNP0此種材料電性能最穩(wěn)定，幾乎不隨溫度，電壓和時間的變化而改變，適用于低損耗，穩(wěn)定性要求要的高頻電路。

容量精度在5%上下，但選用這種材料只能做容量較小的，常規(guī)100PF以下，100PF-1000PF也能生產但價格較高X7R此種材料比NP0穩(wěn)定性差，但容量做的比NP0的材料要高，容量精度在10%上下。Y5V此類介質電容，其穩(wěn)定性較差，容量誤差在20%上下，對溫度電壓較敏感，但這種材料能做到很高的容量，而且價格較低，適用于溫度變化不大的電路中。

貼片電容：可分為無極性與有極性兩類，無極性電容以下兩類封裝較為常見，即0805、0603；而有極性電容也就是大家平常所稱的電解電容，一般我們平時用的最多的為鋁電解電容，由于其電解質為鋁，因此其溫度穩(wěn)定性以及精度都不是很高，而貼片元件由于其緊貼電路版，所以要求溫度穩(wěn)定性要高，因此貼片電容以鉭電容為多，按照其抗壓不同，貼片電容可以分為A、B、C、D四個系列，

具體分類如下：類型封裝類型抗壓

A321610V

B352816V

C603225V

D734335V

貼片電容的分類

一NP0電容器

二X7R電容器

三Z5U電容器

四Y5V電容器

差別：NP0、X7R、Z5U和Y5V的主要區(qū)別是它們的添充介質不同。在同樣的體積下因為添充介質不同所組成的電容器的容量就不同，隨著帶來的電容器的介電損耗、容量穩(wěn)定性等也就不同。

NP0電容器

NP0是一種最常用的具有溫度補償特征的單片陶瓷電容器。它添充介質是由銣、釤和一些其它稀缺氧化物組成的。

NP0電容器是容量和介電損耗最穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55℃到125℃時容量變化為0±30ppm/℃，容量隨頻率的變化低于±0.3ΔC。NP0電容的飄移或滯后低于±0.05%，相對大于±2%的薄膜電容來講是可以忽略不計的。其典型的容量相對使用壽命的改變低于±0.1%。NP0電容器隨封裝類型不同其容量和介電損耗隨頻率變動的特點也不同，大封裝尺寸的會比小封裝尺寸的頻率特點好。下表給出了NP0電容器可選取的容量范圍。

封裝DC=50VDC=100V

08050.5—1000pF0.5—820pF

12060.5—1200pF0.5—1800pF

1210560—5600pF560—2700pF

22251000pF—0.033μF1000pF—0.018μF

NP0電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容，以及高頻電路里的耦合電容。

X7R電容器

X7R電容器被稱作溫度穩(wěn)定型的陶瓷電容器。當溫度是-55℃到125℃時其容量變化為15%，需要注意的是這時電容器容量變化是非線性的。

X7R電容器的容量在不同電壓和頻率環(huán)境下是不同的，它還隨時間的變化而改變，大概每10年變化1%ΔC，表現(xiàn)為10年變化了約5%。

X7R電容器主要應用于要求不高的工業(yè)應用，并且當電壓變化時其容量變化是可以接受的環(huán)境下。它主要特征是在同樣的體積下容量可以做的比較大。下表給出了X7R電容器可選取的容量范圍。

封裝DC=50VDC=100V

0805330pF—0.056μF330pF—0.012μF

12061000pF—0.15μF1000pF—0.047μF

12101000pF—0.22μF1000pF—0.1μF

22250.01μF—1μF0.01μF—0.56μF

Z5U電容器

Z5U電容器稱為”通用”瓷器單片電容器。這里首先需要考慮的是使用環(huán)境溫度，對于Z5U電容器主要的是它小尺寸和低成本。對于上述三種瓷器單片電容起來說在同樣的體積下Z5U電容器有最大的容量。但它的容量受環(huán)境與工作條件影響很大，它老化率最大可達每10年降低5%。

雖然它容量不穩(wěn)定，因為其具有小體積、等效串連電感（ESL）和等效串聯(lián)電阻（ESR）低、良好的頻率響應，使它具有廣泛應用范圍。尤其是在退耦電路的運用中。下表給出了Z5U電容器的取值范圍。

封裝DC=25VDC=50V

08050.01μF—0.12μF0.01μF—0.1μF

12060.01μF—0.33μF0.01μF—0.27μF

12100.01μF—0.68μF0.01μF—0.47μF

22250.01μF—1μF0.01μF—1μF

Z5U電容器的其他技術指標如下:

工作溫度范圍10℃—85℃

溫度特性22%—–56%

介電損耗最大4%

Y5V電容器

Y5V電容器是一種有一定溫度限制通用電容器，在-30℃到85℃范圍內其容量變化可達22%到-82%。

Y5V的高介電常數(shù)允許在較小的物理尺寸下制造出高達4.7μF電容器。

Y5V電容器的取值范圍如下表所示

封裝DC=25VDC=50V

08050.01μF—0.39μF0.01μF—0.1μF

12060.01μF—1μF0.01μF—0.33μF

12100.1μF—1.5μF0.01μF—0.47μF

22250.68μF—2.2μF0.68μF—1.5μF

Y5V電容器的其他技術指標如下:

工作溫度范圍-30℃—85℃

溫度特性22%—–82%

介電損耗最大5%